青年人才卓越计划简介：
“青年人才卓越计划-宽禁带半导体材料与器件”专项依托浙大杭州科创中心先进半导体研究院实施，研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题，瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求，依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和浙大杭州科创中心创新的体制机制，打造一个国内领先、国际先进的前沿技术创新研发平台，推动产学研深度融合发展。研究院由浙大杭州科创中心首席科学家杨德仁院士牵头建设，研究院学术委员会主任由郑有炓院士担任，研究院院长由国家杰出青年基金获得者、长江学者盛况教授担任，并拥有一支包括国家特聘专家、卓青、优青等在内的学术带头人队伍领衔开宽禁带材料与器件相关方向的科学研究。研究院将集中建设超净实验室和宽禁带半导体材料生长、芯片研制、封装测试及应用的先进研发设施和大型仪器设备。

拟重点引进方向：
1.宽禁带半导体材料（GaN、SiC、Si基III－V、Ga2O3 、Diamond、AlN等）；
2.宽禁带半导体器件（基于SiC、GaN等材料的功率器件、射频器件和芯片集成技术）；
3.封装测试（功率器件、射频器件及其他器件相关的封装、模块集成和测试应用技术）；

待遇及科研保障条件：
1.提供有竞争力的薪酬保障（一人一议）；
2.为入选者及其团队成员提供人才公寓，符合条件者可享受杭州科创中心人才房政策；
3.优先使用研究院科研平台大型仪器设备，并另外提供3年500万元以上的科研资助（可持续滚动资助）；
4.提供150㎡以上独立物理空间；
5.提供“专人一站式”服务；
6.入选者中科研业绩突出且符合浙江大学人才标准的，可双聘至浙江大学；
7.享受省市区各类政策配套。

申报条件：
1.具有远大学术志向、创新精神、较强科研能力和社会责任感；
2.年龄原则上不超过35周岁；
3.在国内外顶尖高校或知名研究机构获得博士学位； 
4.对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持，较好的研究积累与想法，坚实的专业基础和较深的学术造诣；
5.具备以独立PI开展研究工作的能力；
6.有宽禁带材料与器件领域院士或国际知名专家推荐的，优先入选。

联系人：陈老师、顾老师 
电话：+86-571-82359123
邮箱：注册可见
地址：浙江省杭州市萧山区建设三路733号浙江大学杭州国际科创中心